CẤU TẠO VÀ NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR
CẤU TẠO VÀ NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG CỦA TRASISTOR
Đối với tất các các kỹ thuật viên điện tử đều biết tầm quan trọng của
trasisitor trong các mạch điện tử, bất cứ một bo mạch nào chúng ta cũng hay gặp
trasitor hoạc trasitor được tích hợp trong các IC vì vậy việc nắm bắt được cấu
tạo và nguyên lý hoạt động của chúng giúp cho chúng ta có thể thiết kế mạch, hoạc
sửa chữa các thiết bị điện tử. Trasistor hay còn gọi là bóng bán dẫn.
Cấu tạo: Trasistor được cấu tạo từ 3 lớp bán dẫn để hình thành
hai mối tiếp giáp P – N. Khi chúng ta ghép PNP ta được trasitor thuận còn khi
ghieps NPN ta được transistor ngược. Trasistor có thể tương đương với hai diode
đấu ngược nhau.
Cấu tạo trasistor
+ Ba lớp bán dẫn được nối với nhau thành 3 cực, lớp giữa là cực B ( cực
gốc) hay còn gọi là Base đây là lớp rất mỏng có nồng độ tạp chất thấp.
+ Lớp bên trái là cực E ( Emitter)
hay còn gọi là cực phát
+ Lớp bên phải là cực C ( Collector) hay còn gọi là cực thu
+ Ở hai vùng bán dẫn E và C sẽ cùng loại bán dẫn ( N hoạc P) nhưng sẽ khác
nhau về kích thước và nồng độ tạp chất nên có thể chuyển đổi cho nhau được.
Nguyên tắc hoạt động:
Mạch khảo sát về nguyên tắc hoạt động của Trasistor NPN
+ Hoạt động của transistor NPN:
Khi ta cấp nguồn UCE vào 2 cực C và E trong đó ( + ) nguồn
vào cực C,(-) nguồn vào cực E.
Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào
hai cực B và E, trong đó cực (+) vào chân B, cực (-) vào chân E.
Khi công tắc mở , mặc dù cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn không có
dòng điện chạy qua môi CE( lúc này dòng IC = 0).
Khi công tắc đóng, mối P – N được phân cực thuận do đó có một dòng điện
chạy từ (+) nguồn UBE qua công tắc, qua R qua mối BE về cực (-) tạo
thành dòng IB. Ngay khi dòng IB xuất hiện lập tức cũng có
dòng IC chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng, và dòng IC
mạnh gấp nhiều lần dòng IB.
Như vậy rõ ràng dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB.
Giải thích: Khi có điện áp UCE nhưng các điện tử và lỗ trống
không thể vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện, khi xuất hiện dòng
IBE do lớp bán dẫn P tại cực B rất mỏng và nông độ pha tạp thấp, vì
vậy số điện tử tự do từ lớp bán dẫn N ( cực E) vượt qua tiếp giáp sang lớp bán
dẫn P( cực B) lớn hơn số lượng lỗ trống rất nhiều, một phần nhỏ trong số các điện
tử có thể vào lỗ trống tạo thành dòng IB còn phần lớn số điện tử bị
hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp UCE tạo thành ICE
chạy qua transistor.
+ Hoạt động của transistor PNP hoàn toàn tương tự nhưng cực tính của các
nguồn điện UCE vầ UBE ngược lại. Dòng IC đi từ
E sang C còn dòng IB đi từ E sang B.
*Ký hiệu và hình dáng
Ký hiệu của transistor ngược NPN bên trái, trasistor thuận bên phải PNP
*Ký hiệu trên thân trasistor.
Trasistor thì có nhiều nước sản xuất nhưng chúng ta hay bắt gặp và sử dụng trasistor của Nhật, Mỹ, và Trung quốc.
+ Trasistor do nhật sản xuất trên thân có ký hiệu chữ in hoa A...., B...., C...., D....
Ví dụ A564, B546, D353, C5644, nhìn kỹ hiệu này ta sẽ biết A và B là trasistor thuận, còn C và D là trasistor ngược.
+ Trasistor do Mỹ sản xuất thường ký hiệu 2N....
+ Trasistror do trung quốc sản suất bắt đầu bằng số 3 tiếp theo là 2 chữ cái, chữ cái thứ nhất nếu là A, B thì là trasistror thuận. C, D là transistor ngược. Chữ cái thứ 2 cho biết đặc điểm X và P là bóng âm tần, A, G là bóng cao tần. Các số về sau chỉ thứ tự sản phẩm.
Share This:
Quang Tuyen
Tôi là một người đam mê công nghệ , tin học và máy tính. Mong được kết bạn với tất cả mọi người ở mọi miền đất nước có cùng đam mê để được chia sẻ, học hỏi kinh nghiệm thông Bloger này. Những kiến thức mà tôi học được và chia sẻ trong Bloger này có thể nhiều chỗ sai nên tôi rất mong được các bạn góp ý kiến bằng những lời bình luận phía dưới bài viết.
Cám ơn bạn chia sẻ kiến thức
ReplyDelete